美光计划年底前将HBM月产能翻倍至10万片

会懂网AI资讯，9月5日，据韩联社等媒体9月4日报道，美光科技计划在今年年底前将高带宽内存（HBM）月产能提升至约10万片晶圆，较去年的4万至5万片接近翻倍，以此缩小与SK海力士和三星电子的产能差距，抢占AI高带宽存储市场份额。

为实现目标，美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其中国台湾铜锣厂、新加坡兀兰厂，日本广岛工厂的设备投资也在筹备。目前美光HBM封装主要在中国台湾与新加坡推进，公司正加速量产面向英伟达”Vera Rubin”架构的HBM4 12层产品。
在产品结构上，美光正快速向HBM4 12层倾斜。目前其HBM产量仍以HBM3E 12层为主，但HBM4 12层占比预计从今年初的20%至30%，提升至年底的最高50%。HBM4 12层是英伟达最新AI加速器的配套内存，美光CEO此前透露其量产爬坡速度约为HBM3E的两倍，HBM4累计出货收入已突破10亿美元。
市场格局方面，尽管美光是全球三大HBM制造商之一，但其产能长期落后于三星与SK海力士，当前全球份额约18%。若年底前达成目标，其与韩系两强的产能差距有望收窄至目前的一半左右。这也印证了AI内存需求持续旺盛、供给仍追赶不上需求的行业底色。
会懂网观察，HBM扩产不仅是美光的翻身仗，更是AI算力军备竞赛的缩影。当英伟达新一代加速器对堆叠存储的消耗量持续攀升，可用产能本身已成为制约供应商变现能力的核心变量。
HBM已成为AI加速器性能的关键瓶颈之一。与传统内存相比，高带宽内存通过垂直堆叠与硅通孔技术实现更高的数据吞吐，直接决定GPU能否喂饱算力。业内预计，随着多家厂商新一代加速器与自研芯片同步放量，HBM的供需紧平衡状态短期内难以缓解。